Uphill diffusion of Si-interstitial during boron diffusion in silicon

Bài báo khoa học đăng trên tạp chí trong danh mục SCI/SCIE/AHCI/SSCI (Q2)

Loại công bố: Bài báo khoa học đăng trên tạp chí trong danh mục SCI/SCIE/AHCI/SSCI (Q2)
Tên công bố: Uphill diffusion of Si-interstitial during boron diffusion in silicon
Nơi công bố: —
Tên tạp chí: Indian Journal of Physics
Nhà xuất bản: —
Thời gian: 2017-08-31
Chỉ số tác động (IF): —
Tập (vol): —
Kỳ (issue): —
Trang: —
Tác giả liên hệ: Vũ Bá Dũng
Tác giả thứ nhất: Vũ Bá Dũng
Đồng tác giả: —
Danh sách tác giả: Vũ Bá Dũng
Thuộc HĐ giáo sư: —
Đường dẫn: —
Tệp đính kèm: 20-Indian-17.pdf